①第一代半導體材料：主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。
②第二代半導體材料：以砷化鎵 （GaAs）、銻化銦（InSb）為代表，是4G時代的大部分通信設備的材料。
③第三代半導體材料：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。
重點：市場上從半年前炒氮化鎵的充電器時，市場的反應一直不夠強烈，那是因為當時第三代半導體還沒有被列入國家“十四五”這個層級的戰略部署上，所以單憑氮化鎵這一個概念，是不足以支撐整個市場邏輯的！
發展現狀：在5G通信、新能源汽車、光伏逆變器等應用需求的明確牽引下，目前，應用領域的頭部企業已開始使用第三代半導體技術，也進一步提振了行業信心和堅定對第三代半導體技術路線的投資。
