氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角

①第一代半導(dǎo)體材料：主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。

②第二代半導(dǎo)體材料：以砷化鎵 （GaAs）、銻化銦（InSb）為代表，是4G時(shí)代的大部分通信設(shè)備的材料。

③第三代半導(dǎo)體材料：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時(shí)代的主要材料。

重點(diǎn)：市場(chǎng)上從半年前炒氮化鎵的充電器時(shí)，市場(chǎng)的反應(yīng)一直不夠強(qiáng)烈，那是因?yàn)楫?dāng)時(shí)第三代半導(dǎo)體還沒有被列入國(guó)家“十四五”這個(gè)層級(jí)的戰(zhàn)略部署上，所以單憑氮化鎵這一個(gè)概念，是不足以支撐整個(gè)市場(chǎng)邏輯的！

發(fā)展現(xiàn)狀：在5G通信、新能源汽車、光伏逆變器等應(yīng)用需求的明確牽引下，目前，應(yīng)用領(lǐng)域的頭部企業(yè)已開始使用第三代半導(dǎo)體技術(shù)，也進(jìn)一步提振了行業(yè)信心和堅(jiān)定對(duì)第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線的投資。